人民财讯9月20日电，9月20日 ，记者从安徽合肥举办的2026世界制造业大会上获悉 ，长鑫科技第五代DRAM技术平台（下称“G5平台”）正式量产。
据悉，该平台依托创新的四重曝光技术 ，将内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米 ，存储电容深宽比达45:1，核心功能区高度缩小至6762纳米。此次大会同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品 ，单颗容量均为24GB ，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，近来 均已进入规模量产阶段 。
（文章来源：证券时报网）
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